- Samsung inicia remessas comerciais de HBM4 à medida que a competição de memória AI esquenta
- O HBM4 atinge velocidades de até 11,7 Gbps enquanto proporciona maior largura de banda e ganhos de eficiência para data centers
- Samsung acelera planos de produção com roteiro que se estende ao HBM4E e variantes de memória personalizadas
A Samsung afirma que não apenas iniciou a produção em massa de memória HBM4, mas também enviou as primeiras unidades comerciais aos clientes, alegando que é uma inovação no setor para a nova geração de memória de alta largura de banda.
O HBM4 é construído no processo DRAM de 10nm de sexta geração da Samsung e usa um chip baseado em lógica de 4nm, que teria ajudado a gigante sul-coreana da memória a obter lucros estáveis sem reprojetos à medida que aumentava a produção.
Esta é uma afirmação técnica que será testada quando as implementações em larga escala começarem e surgirem resultados de desempenho independentes.
Capacidade de até 48 GB
A nova memória atinge uma taxa de transferência consistente de 11,7 Gbps, com alcance de 13 Gbps em determinadas configurações.
A Samsung compara isso com a linha de base da indústria de 8 Gbps, colocando o HBM3E em 9,6 Gbps. A largura de banda total da memória aumentou para 3,3 TB/s por pilha, o que é 2,7 vezes maior que a geração anterior.
A capacidade varia de 24 GB a 36 GB em pilhas de 12 camadas, com versões de 16 camadas chegando posteriormente. Isso pode ser aumentado para 48 GB para clientes que precisam de configurações mais compactas.
O consumo de energia é uma questão fundamental, pois os projetos da HBM aumentam o número de pinos e esta geração passa de 1.024 pinos para 2.048.
A Samsung afirma ter melhorado a eficiência energética em cerca de 40% em comparação com o HBM3E através de tecnologia de baixa tensão baseada em silício e ajustes na distribuição de energia, juntamente com mudanças térmicas que aumentam a dissipação de calor e a resistência.
“Em vez de seguir o caminho tradicional de usar designs já comprovados, a Samsung deu o salto e adotou os nós mais avançados, como 1c DRAM e processo lógico de 4 nm para HBM4”, disse Sang Joon Hwang, vice-presidente executivo e chefe de desenvolvimento de memória da Samsung Electronics.
“Ao alavancar a competitividade de nossos processos e a otimização do projeto, somos capazes de garantir alto desempenho para atender às demandas cada vez maiores de nossos clientes por maior desempenho, quando eles precisam.”
A empresa também cita a escala de produção e a embalagem interna como principais razões para atender ao crescimento esperado da demanda.
Isso inclui uma coordenação mais estreita entre as equipes de fundição e memória, bem como parcerias com fabricantes de GPU e hiperescaladores que constroem hardware de IA personalizado.
A Samsung afirma que espera que seus negócios de HBM cresçam significativamente em 2026, com amostras de HBM4E planejadas para o final do ano e amostras personalizadas de HBM em 2027.
A resposta dos concorrentes com prazos semelhantes ou alternativas mais rápidas determinará quanto tempo durará essa vantagem inicial.
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